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                昆山英利悦电子有限→公司,专注于PVD表面处理,真空镀膜⌒ 加工服务商
                专注于pvd真空镀膜解决方案
                特殊▽工艺开发定制及生产厂家
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                PVD(真空)镀膜

                作者:admin 发布日期:2020-10-31 关注次数: 二维码分享〗


                昆山英利悦电子有限公司是一家独』资企业,主营pvd真空镀膜,pvd镀膜,pvd工艺,五金镀膜,金属镀膜,浙江镀膜,位于百强县级市之首昆№山市,地处苏州及上海交界处,交通便利,环境优美.咨询电话:13584969897

                PVD是英文Physical Vapor Deposition(物理气相√沉积)的缩写,是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体●放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电★场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。


                PVD技术的发展

                PVD技术出现〗于二十世纪七十年代末,制备的ξ薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功♂应用引起了世界各国制造业的高度重视,人们在开发高性ζ 能、高可靠性涂层设备的同时,也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研Ψ究。与 CVD工艺相比,PVD工艺处理温度低,在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响;薄膜内部应力↘状态为压应力,更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层; PVD工艺对环境无▓不利影响,符合现代绿色制造的发展方向。目前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、异形刀具、焊接「刀具等的涂层处理。

                PVD技术不仅提高了薄膜与刀具基体材料的结合强度,涂层←成分也由第一代的TiN发展为TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元复合涂层。

                真空▅手套箱金属件PVD装饰膜镀制工艺,主要为在装饰产品设计。例如大型板材管材、家具装饰品上镀保╲护膜,真空手套箱设备手套箱后的产品能够展现出雍容华贵、光彩夺目等各种各样的∮美丽效果,并且膜层耐磨损∞不褪色。

                1.装饰件材料(底材)

                (1)金属。不锈钢、钢基合金、锌基合金等。

                (2)玻璃、陶瓷。

                (3)塑料。ABS、PVC、PC、SHEET、尼龙、水晶等。

                (4)柔性材料。涤纶膜、PC、纸张、布、泡沫塑料、钢带等。

                2.装饰膜种类

                (1)金属基材装饰膜层:TiN、ZrN、TiC、CrNx、TiCN、CrCN、Ti02、Al等。

                (2)玻璃、陶瓷装』饰膜层:TiO2、Cr2O3、MgF2、ZnS等。

                (3)塑料基材装饰膜层:AI、Cu、Ni、Si02、Ti02、ITO、MgF2。

                (4)柔性材料装饰膜层:Al、lTO、Ti02、ZnS等。

                真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为※黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制ZrN膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源,以及脉冲偏压电源。

                (1)抽真空

                5 X 10-3~6.6 x 10-13Pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室∏器壁放气后又回升到100~150℃。

                (2)轰击清洗

                真空度:通人氩气真空度保持在2~3Pa。轰击电压:800~1000V,脉冲占空比20%。轰击时间:10min。

                (3)手套箱

                ①沉积锆底层

                真空度:通入氩气,真空度保持在s x l0-1Pa。靶电压:400—550V,靶功率15 N 30W/Crrr2。脉冲偏压:450~500V,占空比20 %。手◥套箱时间:5~10min。

                ②镀ZrN膜

                真空度:通入氮气,真空度保持在(3~5) x 10-1Pa。靶电压:400~550V,靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压:150~200V,占空比80 %。手套箱时间:20~30min。

                由于真空手套箱磁控溅△射技术中金属离化率低,不容易进行反应沉积,获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱〓设备可采用气体离子源将反应气体离化,扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源,柱状弧源【还是辅助手套箱源。

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